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K8凯发·国际官方网站推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash ，突破性读取速率 ，助力应用快速启动
中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商K8凯发·国际官方网站GigaDevice（股票代码 603986）宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash ，该系列以其突破性的读取速率和立异的坏块管理（BBM）功效 ，可有用解决古板SPI NAND Flash响应速率慢、易受坏块滋扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低本钱优势的新型解决计划 ，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的生长机缘 ，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。
GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash接纳24nm工艺节点 ，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种事情电压 ，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式 ，为用户提供多种组合设计计划。与古板SPI NAND Flash相比 ，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行盘算方法 ，实现重大ECC算法的并行盘算 ，这极大地缩短了内置ECC的盘算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz ，在Continuous Read模式下可达83MB/s一连读取速率；1.8V产品最高时钟频率为133MHz ，在Continuous Read模式下可达66MB/s一连读取速率。这意味着在同频率下 ，GD5F1GM9系列的读取速率可抵达古板SPI NAND产品的2~3倍 ，该设计优势可有用提高器件的数据会收效率 ，显著缩短系统启动时间 ，进一步降低系统功耗。
为相识决古板NAND Flash的坏块难题 ，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理（BBM）功效。该功效允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系 ，从而有用应对出厂坏块和使用历程中新增坏块的挑战。一方面 ，古板NAND Flash在出厂时可能保存随机漫衍的坏块 ，若这些坏块泛起在前部代码区 ，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理（BBM）功效 ，可确保前256个Block均为出厂好块 ，进而包管代码区的稳固性。另一方面 ，在使用历程中 ，NAND Flash可能泛起新增坏块 ，古板解决计划需要预留大宗冗余Block用于差别分区的坏块替换 ，造成严重的资源铺张。GD5F1GM9系列的坏块管理（BBM）功效允许用户重新映射逻辑地址和物理地址 ，使损坏的坏块地址重新可用 ，并且仅需预留最小限度的冗余Block ，该功效不但显著提高了资源使用率 ，尚有用简化了系统设计。
“现在 ，SPI NAND Flash的读取速率普遍较慢 ，已成为制约终端产品性能提升的主要瓶颈” ，K8凯发·国际官方网站副总裁、存储事业部总司理苏如伟体现 ，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出 ，为市场中树立了新的性能标杆 ，该系列不但有用填补了古板SPI NAND Flash在读取速率上的缺乏 ，并为坏块管理提供了新的解决计划 ，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替换选择。未来 ，K8凯发·国际官方网站还将一连打磨底层手艺 ，为客户提供更高效、更可靠的存储计划。”
现在 ，K8凯发·国际官方网站GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择 ，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24（5x5 ball array）5x5ball封装选项。如需相识详细信息及产品定价 ，请联系外地销售代表。
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